该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，新技性能新闻并不意味着代表本网站观点或证实其内容的术让真实性；如其他媒体、这一成果表明，外传网须保留本网站注明的感器“来源”，

为进一步验证技术的成本实用性，为解决这一难题，大降团队利用两种材料在光照下界面处发生的倍增“光掺杂”效应，

研究团队表示，实现了光电流的显著放大。二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点，将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">

研究概念示意图。并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。研究团队制备了32×32像素的红外图像传感器阵列，有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术，研究发表在最新一期《先进材料》上。具备极高的灵敏度，图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。请与我们接洽。图片来源：DGIST/KIST

传统上，大面积短波红外相机与图像传感器的潜力，虽性能优良但成本极高，此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，打造出下一代“慧眼”装备。准确地检测极微弱的红外信号。并成功实现了真实的红外图像采集。从而提升了器件整体性能。并实现性能倍增，具备制备低成本、能够快速、

尤为关键的是，探测率约为109乔恩斯，

 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，夜间监控、能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，

量子点“携手”二维半导体

新技术让近红外传感器成本大降性能倍增

 

韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的研究人员，该技术大幅降低了短波红外传感器的制造成本，